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經(jīng)營德國TURCK光電傳感器,圖爾克光電傳感器型號規(guī)格 在光線作用下,物體的導電性能發(fā)生變化或產(chǎn)生光生電動勢的效應 光電導效應:光敏電阻、光敏二極管(晶體管) 因此在許多應用場合,光電式傳感器比其他傳感器有明顯的優(yōu)越性。 光生伏打效應又可分為勢壘效應(結(jié)光電效應)和側(cè)向光電效應。 勢壘效應的機理是在金屬和半導體的接觸區(qū)(或在PN結(jié))中, 電子受光子的激發(fā)脫離勢壘(或禁帶)的束縛而產(chǎn)生電子空穴對,
經(jīng)營德國TURCK光電傳感器,圖爾克光電傳感器型號規(guī)格上海乾拓貿(mào)易有限公司 企業(yè)QQ:2880626087??; 手機;() 郵箱;@163.com 地址:上海市嘉定區(qū)江橋嘉涌路99弄6號713室外光電效應是指在光線作用下,物體內(nèi)的電子逸出物體表面向外發(fā)射的現(xiàn)象在光線作用下,物體的導電性能發(fā)生變化或產(chǎn)生光生電動勢的效應光電導效應:光敏電阻、光敏二極管(晶體管)因此在許多應用場合,光電式傳感器比其他傳感器有明顯的優(yōu)越性。光生伏打效應又可分為勢壘效應(結(jié)光電效應)和側(cè)向光電效應。勢壘效應的機理是在金屬和半導體的接觸區(qū)(或在PN結(jié))中,電子受光子的激發(fā)脫離勢壘(或禁帶)的束縛而產(chǎn)生電子空穴對,在阻擋層內(nèi)電場的作用下電子移向 N區(qū)外側(cè),空穴移向 P區(qū)外側(cè),形成光生電動勢。側(cè)向光電效應是當光電器件敏感面受光照不均勻時,受光激發(fā)而產(chǎn)生的電子空穴對的濃度也不均勻,電子向未被照射部分擴散,引起光照部分帶正電、未被光照部分帶負電的一種現(xiàn)象。光子,光子能量;光電子光電式傳感器是將光通量轉(zhuǎn)換為電量的一種傳感器,光電式傳感器的基礎是光電轉(zhuǎn)換元件的光電效應。由于光電測量方法靈活多樣,可測參數(shù)眾多,具有非接觸,高精度,高可靠性和反應快等特點,使得光電傳感器在檢測和控制領域獲得了廣泛的應用。光電式傳感器有光電管、光電倍增管、光敏電阻、光電二極管和光電三極管、光電池、半導體色敏傳感器、光電閘流晶體管、熱釋電傳感器、光電耦合器件等光電元件。另外,光電式傳感器還可分為模擬式光電式傳感器和脈沖式光電式傳感器兩類。光電檢測方法具有精度高、反應快、非接觸等優(yōu)點而且可測參數(shù)多。傳感器的結(jié)構簡單,形式靈活多樣,體積小。近年來,隨著光電技術的發(fā)展,光電式傳感器已成為系列產(chǎn)品其品種及產(chǎn)量日益增加。用戶可根據(jù)需要選用各種規(guī)格的產(chǎn)品它在機電控制、計算機、科技等方面。它是光照射到某些物質(zhì)上,使該物質(zhì)的導電特性發(fā)生變化的一種物理現(xiàn)象,可分為外光電效應和內(nèi)光電效應和光生伏應三類。外光電效應是指,在光線作用下物體內(nèi)的電子逸出物體表面向外發(fā)射的物理現(xiàn)象。光子是以量子化“粒子”的形式對可見光波段內(nèi)電磁波的描述。光子具有能量hv,h為普朗克常數(shù),v為光頻。光子通量則相應于光強。外光電效應由愛因斯坦光電效應方程描述:Ek =hν -W光生伏應:光電池無光照時,光敏電阻阻值很大,電路中電流很?。?br/>當光敏電阻受到一定波長范圍的光照時,它的阻值急劇減小,電路中電流迅速增大。其缺點是在某些應用方面,光學器件和電子器件價格較貴,并且對測量的環(huán)境條件要求較高。光電傳感器和系統(tǒng)使用可見紅光或紅外光檢測不同類型的物體,無需接觸物體,也不受物體材質(zhì)、質(zhì)量和一致性的約束。無論是標準型號還是可編程多功能型號、緊湊型設備還是連有外部放大器等外設的設備,每個傳感器都有專門針對不同應用而設計的特殊功能 - 我們都會為您提供種類齊全的光電傳感器解決方案。光電式傳感器photoelectric transducer,基于光電效應的傳感器,在受到可見光照射后即產(chǎn)生光電效應,將光信號轉(zhuǎn)換成電信號輸出。它除能測量光強之外,還能利用光線的透射、遮擋、反射、干涉等測量多種物理量,如尺寸、位移、速度、溫度等,因而是一種應用極廣泛的重要敏感器件。光電測量時不與被測對象直接接觸,光束的質(zhì)量又近似為零,在測量中不存在摩擦和對被測對象幾乎不施加壓力。其中,h表示普朗克常量,ν表示入射光的頻率)。當光子能量等于或大于逸出功時才能產(chǎn)生外光電效應。因此每一種物體都有一個對應于光電效應的光頻閾值,稱為紅限頻率。對于紅限頻率以上的入射光,外生光電流與光強成正比。內(nèi)光電效應又分為光電導效應和光生伏應兩類。光電導效應是指,半導體材料在光照下禁帶中的電子受到能量不低于禁帶寬度的光子的激發(fā)而躍遷到導帶,從而增加電導率的現(xiàn)象。能量對應于禁帶寬度的光子的波長稱光電導效應的臨界波長。光生伏打效應是指光線作用能使半導體材料產(chǎn)生一定方向電動勢的現(xiàn)象。
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